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CT检测面探测器

面探测器主要有三种类型：高分辨半导体芯片、平板探测器和图像增强器。半导体芯片又分为CCD和CMOS。CCD对X射线不敏感，表面还要覆盖一层闪烁体将X射线转换成CCD敏感的可见光。

半导体芯片具有小的像素尺寸和大的探测单元数，像素尺寸可小到10微米左右，探测单元数量取决于硅单晶的大尺寸，一般直径在50mm以上。因为探测单元很小，射线检测价格，信号幅度也很小，为了增大测量信号可以将若干探测单元合并。

CT检测同位素辐射源

同位素辐射源的优点是它的能谱简单，消耗电能少，设备体积小且相对简单，而且输出稳定。但是其缺点是辐射源的强度低，为了提高源的强度必须加大源的体积，射线检测机构，导致“焦点”尺寸增大。在工业CT中较少实际应用。

同步辐射本来是连续能谱，射线检测公司，经过单色器选择可以得到定向的几乎单能的高强度X射线，射线检测，因此可以做成高空间分辨率的CT系统。但是由于射线能量为20KeV到30KeV，实际只能用于检测1mm左右的小样品，用于一些特殊的场合。

CT检测应用闪烁体的分立探测器的主要优点

应用闪烁体的分立探测器的主要优点是：闪烁体在射线方向上的深度可以不受限制，从而使射入的大部分光子被俘获，提高探测效率。尤其在高能条件下，可以缩短获取时间；因为闪烁体是独立的，所以几乎没有光学的窜扰；同时闪烁体之间还有钨或其他重金属隔片，降低了X射线的窜扰。分立探测器的读出速度很快，在微秒量级。同时可以用输出脉冲来选通数据采集，限度减小信号上叠加的噪声。分立探测器对于辐射损伤也是不敏感的。