射线CT检测机构 纳克 射线CT检测

CT检测面探测器

面探测器主要有三种类型：高分辨半导体芯片、平板探测器和图像增强器。半导体芯片又分为CCD和CMOS。CCD对X射线不敏感，表面还要覆盖一层闪烁体将X射线转换成CCD敏感的可见光。

半导体芯片具有小的像素尺寸和大的探测单元数，像素尺寸可小到10微米左右，探测单元数量取决于硅单晶的大尺寸，一般直径在50mm以上。因为探测单元很小，信号幅度也很小，为了增大测量信号可以将若干探测单元合并。

CT检测射线源

在高能电子束转换为X射线的过程中，仅有小部分能量转换为X射线，大部分能量都转换成了热，射线CT检测方案，焦点尺寸越小，阳极靶上局部功率密度越大，局部温度也越高。实际应用的功率是以阳极靶可以长期工作所能耐受的功率密度确定的。因此，小焦点乃至微焦点的的射线源的使用功率或大电压都要比大焦点的射线源低。电子辐射发生器的共同缺点是X射线能谱的多色性，射线CT检测机构，这种连续能谱的X 射线会引起衰减过程中的能谱硬化，导致各种与硬化相关的伪像。

CT检测同位素辐射源

同位素辐射源的优点是它的能谱简单，消耗电能少，设备体积小且相对简单，射线CT检测，而且输出稳定。但是其缺点是辐射源的强度低，为了提高源的强度必须加大源的体积，导致“焦点”尺寸增大。在工业CT中较少实际应用。

同步辐射本来是连续能谱，经过单色器选择可以得到定向的几乎单能的高强度X射线，因此可以做成高空间分辨率的CT系统。但是由于射线能量为20KeV到30KeV，实际只能用于检测1mm左右的小样品，用于一些特殊的场合。